BSZ060NE2LSATMA1
Infineon Technologies
Deutsch
Artikelnummer: | BSZ060NE2LSATMA1 |
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Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 25V 12A/40A TSDSON |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $0.83 |
10+ | $0.734 |
100+ | $0.5626 |
500+ | $0.4448 |
1000+ | $0.3558 |
2000+ | $0.3225 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PG-TSDSON-8-FL |
Serie | OptiMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6mOhm @ 20A, 10V |
Verlustleistung (max) | 2.1W (Ta), 26W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | 8-PowerTDFN |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 670 pF @ 12 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.1 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 25 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 12A (Ta), 40A (Tc) |
Grundproduktnummer | BSZ060 |
BSZ060NE2LSATMA1 Einzelheiten PDF [English] | BSZ060NE2LSATMA1 PDF - EN.pdf |
BSZ060NE2L INFINEON
ON PQFN3X3
MOSFET N-CH 30V 12A/40A TSDSON
BSZ060NE2LS Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 15A/40A TSDSON
INFINEON DFN-83.33.3
INFINEON TSDSON-8
BSZ058N03MS G INFINEON
MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
MOSFET N-CH 30V 14A/40A 8TSDSON
MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8
INFINEO QFN8
INFINEON TDFN-8
BSZ065N03LS Infineon Technologies
BSZ065N03LSG INFINEO
MOSFET N-CH 80V 13A/40A TSDSON
BSZ058N03MSG QFN8 INFINEON
BSZ058N03 - 12V-300V N-CHANNEL P
INFINEON QFN
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() BSZ060NE2LSATMA1Infineon Technologies |
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